Напівпровідникові прилади відносяться до категори електронних компонентів, які називаються напівпровідниками. Чисті або бездомішкові напівпровідник зазвичай не використовуються в цих приладах, але спочатку леговані домішками в напівпровідникову кристалічну решітку вони стають домішковими напівпровідниками.

      Домішкові напівпровідники легуються так, щоб забезпечити надлишок електронів (напівпровідники n -типа) або їх недолік (напівпровідники p -типа). Наявність домішок в напівпровідниковій кристалічній решітці визначає міра электропроводност грат.

      Поодинокі шари п- або р-полупроводника не знаходять застосування, і напівпровідниковий матеріал стає напівпровідниковим приладом тільки тоді, коли два або більш за шари різних типів контактують один з одним. Простий р- n -переход формує випрямний прилад або діод. Вольт-амперна характеристика діода встановлюється згідно із співвідношенням, відомим як рівняння Шокли або рівняння ідеального діода, а саме:

                                                                                                                                                I = Io [exp(qV/kT) - 1]

Де  Iо - струм насичення (чи струм витоку); q - заряд електрона; V - напруга, що прикладається до діода; k - постійна Больцмана; Т - температура, К. 

      Будь-яка зміна вимірюваної величини, яка викликає зміну приведеного вище вираження, можливо, звичайно, використана для зміни струму, що протікає через перехід. Наприклад, діод іноді застосовується як перетворювач температури, по¬скольку струм витоку напівпровідника змінюється у функції температури. Струм витоку кремнію складає приблизно 25 нА при температурі 25 °С і збільшується до 6.5 мА при температурі 150,°С.