Публікації: датчики Холла, тензодатчики, терморезистори, криогенні
Публікації

N.T.Gorbachuk, V.V.Mitin ., Yu.A.Tkhorik, Yu.M.Shvarts. Piezo Hall Effect in p-Germanium. Рhys. Stat. Sol.(в) 100. 1980, р.309.
Митин В.В. Тхорик Ю.А. Шварц Ю.М. Об оприделении констант деформационого потенциала полупроводников  типа  p-германия из температурной зависимости пьезосопротивления ФТП, т.15, в.14, с.649,  1981.
Тхорик Ю.А. Шварц Ю.М. Гордиенко В.В. Исследование пленок германия на арсениде галлия в целях создания на их основе криогенных тензорезисторов. ПСУ,1989, №8, С.35. 
Патент РФ 2043671. Полупроводниковый тензорезистор. Авт. Горбачук Н.Т. / Б.И. 1995, № 25.
Патент Р.Ф. 2025736. Способ измерения температуры. Авт. Горбачук Н.Т. / Б.И. 1994,
№24.
Амосков В.М., Васильев В.Н.,  Горбачук Н.Т., Сычевский С.Е. и др. Прецизионный трехкомпонентный магнитометр на генераторах э.д.с. Холла для измерения слабых магнитных полей // Гироскопия и навигация, № 4(31), 2000. С. 56.
Желамский М.В., Сычевский С.Е., Филатов О.Г., Горбачук Н.Т. и др. Ряд прецизионных генераторов Э.Д.С.  Холла. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Электрофизическая аппаратура, в. 1(27), 2002 г.,с.9-14.
V. Beliakov, N. Gorbachuk, O. Filatov, A. Konstantinov, E. Lamzin,
S. Sytchevsky, M. Zhelamskij, V. Kolganov, K. Skladnov and Yu. Strebkov ,THE INSTRUMENTATION OF THE ITER PORT-LIMITER The 22nd Symposium
on Fusion Technology, Book of Abstracts, Helsinki, Finland, 9th-13th September 2002
Горбачук Н.Т. Термокомпенсированные тензодатчики на основе     пленок поликристаллического кремния. IX Міжнародна конференція з фізики і технологіі тонких плівок, 19-25 травня, 2003р., Ів.-Франківськ.
Горбачук Н.Т. Исследование єлектрофизических свойств пленок GaAs и датчиков Холла на их основе.IX Міжнародна конференція з фізики і технологіі тонких плівок, 19-25 травня, 2003р., Ів.-Франківськ.
Горбачук Н.Т., Диденко П.И. Измерительные преобразователи на основе GaAs, поликремния и дисперсного германия и перспективы использования их в условиях  радиационного облучения. XXXIII международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 26-28 мая 2003г.                                   
Gorbachuk N. Measuringtransducer of magnetic field on base of films GaAs.VII symposium of magnetic measurements, Oktober 15-17, 2003. Warsaw, Poland.
Филатов О.Г., Солдатенков В.А. и др. Электромагнитная система позиционирования для нашлемной системы целеуказания и индикации. Электроника: Наука, Технология, Бизнес.  5/2003, с.62-67.
Сычевский С.Е., Фирсов А.А., Горбачук Н.Т. и др. Система измерения веса и центровки вертолета с использованием датчиков малых линейных перемещений. Труды  6-го Форума Российского вертолетного общества.25-26февраля 2004, Москва
Горбачук Н.Т., Диденко П.И  Влияние нейтронного облучения на характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей  температуры, деформации, магнитного поля. ХХХ1V международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. 17-22 мая, 2004, Москва. МГУ.
Филатов О.Г., Сычевский С.Е., Горбачук Н.Т. и др.. Разработка прецизионных датчиков физических величин на основе оптимизированных магнитных цепей.  Научно-технический журнал  "Авиакосмическое приборостроение", 2004, N 5, с.7-12.
Горбачук Н.Т., Диденко П.И  Влияние нейтронного облучения на характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей  температуры, деформации, магнитного поля. Поверхность, 2005, 4, p.57-58.
Беляков В.А., Горбачук Н.Т. и др.  Полупроводниковые измерительне преобразователи деформации, температуры и магнитного поля для применения в условиях радиационного воздействия, широком диапазоне температур и магнитных полей. "Вопросы атомной науки и техники", в.3(29), 2005, с.46-54
Горбачук Н.Т., Диденко П.И. Исследование некоторых электрофизических свойств пленок n-Si  легированных ионной имплантацией.  Поверхность, 2006, 4, с.104-106.
A.P.Caricato, A.Luches, F.Romano, S.A.Mulenko, Y.V.Kudryavtsev, N.T.Gorbachuk, C.Fotakis, E.L.Papadopoulou, R.Klini, "Deposition of thin films for sensors by pulsed laser ablation of iron and chromium silicide targets", Appl.Surf.Science, v.254, 2007, pp.1288-1291.



НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДАТЧИКИ ДЛЯ КРІОГЕННИХ ТЕМПЕРАТУР

        При розробці напівпровідникових датчиків для кріогенного діапазону температур  підбирають або спеціально отримують  матеріали, що мають оптимальні еоектрофізичні властивості для цього діапазону.  Конструкція корпусу датчика повинна витримувати вказані екстремальні умови і не впливати на характеристики чутливих елементів. Крім того, враховуючи ...
ТДМ 2009-2010